Deposición de Capas Atómicas (ALD)

ALD (Deposición de Capa Atómica) es un proceso de deposición que permite la deposición al vacío de películas delgadas de material utilizando precursores gaseosos. Las piezas a tratar se colocan en una máquina de vacío. Después de introducir el precursor A, que se deposita en toda la superficie de las piezas, se introduce el precursor B y reacciona con los átomos inicialmente depositados para formar la primera capa atómica. Este ciclo se repite hasta que se alcanza el grosor deseado. La temperatura de deposición varía de 150 a 200°. Ventajas Perfecta conformabilidad Excelente homogeneidad en piezas 3D Reproducibilidad del recubrimiento Control del grosor a escala nanométrica Buena estabilidad química Excelente capa de barrera Tecnología no contaminante