Deposición de Capas Atómicas (ALD)

La ALD (Deposición de Capas Atómicas en español) es un proceso de deposición que permite depositar en vacío películas delgadas de material mediante precursores gaseosos. Las piezas a tratar se colocan en una máquina de vacío. Después de introducir un precursor A que se deposita sobre toda la superficie de las piezas a tratar, se introduce un precursor B que reacciona con los primeros átomos depositados para formar una primera capa atómica. Este ciclo se repite hasta alcanzar el grosor deseado. La temperatura de deposición está entre 150 y 200°. Los beneficios Conformabilidad perfecta Excelente homogeneidad en piezas 3D Reproducibilidad del recubrimiento Control del grosor a escala nanométrica Buena estabilidad química Excelente capa barrera Tecnología no contaminante