La ALD (Deposición de Capas Atómicas en español) es un proceso de deposición que permite depositar en vacío películas delgadas de material mediante precursores gaseosos.
Las piezas a tratar se colocan en una máquina de vacío.
Después de introducir un precursor A que se deposita sobre toda la superficie de las piezas a tratar, se introduce un precursor B que reacciona con los primeros átomos depositados para formar una primera capa atómica.
Este ciclo se repite hasta alcanzar el grosor deseado.
La temperatura de deposición está entre 150 y 200°.
Los beneficios
Conformabilidad perfecta
Excelente homogeneidad en piezas 3D
Reproducibilidad del recubrimiento
Control del grosor a escala nanométrica
Buena estabilidad química
Excelente capa barrera
Tecnología no contaminante
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